報告簡介
半導體照明器件的核心是發(fā)光二極管（LED），由襯底材料、發(fā)光材料、光轉換材料和封裝材料等組成。半導體照明產業(yè)的發(fā)展已形成以美國、亞洲、歐洲三大區(qū)域為主導的三足鼎立的產業(yè)分布與競爭格局。同時，我國的半導體照明產業(yè)發(fā)展初具規(guī)模，產業(yè)鏈日趨完整。到2011年，我國共有LED企業(yè)約5000家。
LED外延片襯底材料是半導體照明產業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。
藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底是制作LED芯片常用的三種襯底材料。我國藍寶石襯底白光LED有很大突破，光效已達到90lm/W-100lm/W。同時，具有自主技術產權的硅襯底白光LED也已經達到90lm/W-96lm/W。
從光效上，LED照明已經達到了替代傳統(tǒng)光源的標準，所以，LED照明市場滲透率將迅速上升。從而可以看出，由于LED應用市場的擴增，將呈現(xiàn)上游芯片襯底材料的需求量急速暴長的趨勢。
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報告目錄
第一章 半導體照明（LED）產業(yè)概述
1.1 全球LED產業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
1.1.1 全球半導體照明產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
1.1.2 全球半導體照明市場基本格局
1.1.3 全球半導體照明產業(yè)重點區(qū)域及企業(yè)現(xiàn)狀
1.2 中國LED產業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
1.2.1 中國LED產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
1.2.2 中國半導體照明產業(yè)快速增長
1.2.3 中國LED照明企業(yè)的發(fā)展特征
1.2.4 中國半導體照明產業(yè)的發(fā)展優(yōu)勢
1.3 中國LED市場現(xiàn)狀
1.3.1 中國半導體照明產業(yè)的市場格局
1.3.2 中國半導體照明產業(yè)的區(qū)域分布
1.3.3 全國主要半導體產業(yè)基地及潛力點
1.4 半導體照明產業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)
1.4.1 半導體照明產業(yè)鏈概述
1.4.2 上游環(huán)節(jié)產業(yè)鏈
1.4.3 中游環(huán)節(jié)（芯片制備）產業(yè)鏈
1.4.4 下游環(huán)節(jié)（封裝和應用）產業(yè)鏈
第二章 LED用襯底材料的相關概述
2.1 LED外延片基本概述
2.2 紅黃光LED襯底
2.3 藍綠光LED襯底
第三章 藍寶石襯底
3.1 藍寶石襯底的概述
3.1.1 藍寶石襯底材料的介紹
3.1.2 外延片廠商對藍寶石襯底的要求
3.1.3 藍寶石生產設備的情況
3.1.4 藍寶石晶體工藝介紹
3.2 藍寶石襯底材料市場分析
3.2.1 全球藍寶石材料市場概述
3.2.2 國內的技術現(xiàn)狀
3.2.3 我國存在的困境分析
3.3 藍寶石項目生產概況
3.3.1 原料
3.3.2 生產線設備
3.3.3 2010-2011年國內藍寶石材料項目介紹
3.4 市場對藍寶石襯底的需求分析
3.4.1 民用半導體照明領域對藍寶石材料的需求分析
3.4.2 民用航空領域對藍寶石襯底的需求分析
3.4.3 軍工領域對藍寶石材料的需求分析
3.4.4 其他領域對藍寶石材料的需求分析
3.5 藍寶石襯底材料的發(fā)展前景
3.5.1 2012年藍寶石襯底市場發(fā)展前景
3.5.2 藍寶石襯底材料的發(fā)展趨勢
第四章 硅襯底
4.1 半導體硅材料的概述
4.1.1 半導體硅材料的電性能特點
4.1.2 半導體硅材料的制備
4.1.3 半導體硅材料的加工
4.1.4 半導體硅材料的主要性能參數(shù)
4.2 硅襯底LED芯片主要制造工藝的綜述
4.2.1 Si襯底LED芯片的制造
4.2.2 Si襯底LED封裝的技術
4.2.3 硅襯底LED芯片的測試結果
4.3 硅襯底上GAN基LED的研究進展
4.3.1 用硅作GaN LED襯底的優(yōu)缺點
4.3.2 硅作GaN LED襯底的緩沖層技術
4.3.3 硅襯底的LED器件
第五章 碳化硅襯底
5.1 碳化硅襯底的介紹
5.1.1 碳化硅的性能及用途
5.1.2 LED碳化硅襯底的基礎概要
5.2 SIC半導體材料研究的闡述
5.2.1 SiC半導體材料的結構
5.2.2 SiC半導體材料的性能
5.2.3 SiC半導體材料的制備方法
5.2.4 SiC半導體材料的應用
5.3 SIC單晶片CMP超精密加工的技術分析
5.3.1 SiC單晶片超精密加工的發(fā)展
5.3.2 SiC單晶片的CMP技術的原理
5.3.3 SiC單晶片CMP磨削材料去除速率
5.3.4 SiC單晶片CMP磨削表面質量
5.3.5 CMP的影響因素分析
5.3.6 SiC單晶片CMP拋光存在的不足
5.3.7 SiC單晶片的CMP的趨勢
第六章 砷化鎵襯底
6.1 砷化鎵的介紹
6.1.1 砷化鎵的定義及屬性
6.1.2 砷化鎵材料的分類
6.2 砷化鎵在光電子領域的應用
6.2.1 砷化鎵在LED方面的需求市場
6.2.2 我國LED方面砷化鎵的應用
6.3 砷化鎵襯底材料的發(fā)展
6.3.1 國外砷化鎵材料技術的發(fā)展
6.3.2 國內砷化鎵材料技術的發(fā)展
6.3.3 國內砷化鎵材料主要生產廠家的情況
6.3.4 砷化鎵外延襯底市場規(guī)模預測
第七章 其他襯底材料
7.1 氧化鋅
7.1.1 氧化鋅的定義
7.1.2 氧化鋅的物理及化學性質
7.2 氮化鎵
7.2.1 氮化鎵的介紹
7.2.2 GaN材料的特性
7.2.3 GaN材料的應用
7.2.4 氮化鎵材料的應用前景廣闊
第八章 重點企業(yè)
8.1 國外主要企業(yè)
8.1.1 京瓷（Kyocera）
8.1.2 Namiki
8.1.3 Rubicon
8.1.4 Monocrystal
8.1.5 CREE
8.2 中國臺灣主要企業(yè)
8.2.1 臺灣越峰電子材料股份有限公司
8.2.2 臺灣中美硅晶制品股份有限公司
8.2.3 臺灣合晶科技股份有限公司
8.2.4 臺灣鑫晶鉆科技股份有限公司
8.3 中國大陸主要企業(yè)
8.3.1 哈爾濱工大奧瑞德光電技術有限公司
8.3.2 云南省玉溪市藍晶科技有限責任公司
8.3.3 成都聚能光學晶體有限公司
8.3.4 青島嘉星晶電科技股份有限公司
8.3.5 愛彼斯通半導體材料有限公司
第九章 投資分析
9.1 2011-2012年將是LED照明產業(yè)最佳投資時期
9.2 LED行業(yè)上游投資風險分析
圖表目錄摘要：
圖表 國際主要LED企業(yè)競爭格局
圖表 國內LED產量、芯片產量及芯片國產率情況
圖表 我國LED封裝市場規(guī)模增長情況
圖表 國內主要LED芯片企業(yè)銷售額及市場比重情況
圖表 第三類企業(yè)的發(fā)展運作模式
圖表 國際大部分著名LED企業(yè)遵循的發(fā)展模式
圖表 使用藍寶石襯底做成的LED芯片示例
圖表 藍寶石生產線設備明細
圖表 三種襯底性能比較
圖表 藍寶石供應商所占市場份額
圖表 2006-2013年全球LED市場及預測
圖表 晶格結構示意圖
圖表 晶向示意圖
圖表 Si襯底GaN基礎結構圖
圖表 封裝結構圖
圖表 SiC其它的優(yōu)良特性
圖表 SiC單晶片CMP示意圖
圖表 砷化鎵基本屬性
圖表 GaAs晶體生長的各種方法的分類
圖表 LED發(fā)光亮度
圖表 我國砷化鎵在高亮度LED應用市場構成
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