納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是用于集成電路中納米線寬測量和校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（RM）是具有均勻性和確定性的特性量值，用于物質(zhì)賦值、校準(zhǔn)儀器和評價檢測方法或儀器性能的物質(zhì)。
　　納米線寬是指晶體管柵極的最小線寬（柵寬）。作為集成電路的關(guān)鍵尺寸量值，納米線寬量值的準(zhǔn)確性對集成電路工藝先進(jìn)程度、芯片器件電流/電阻等電特性參數(shù)具有重要影響，尤其在納米級集成電路中，線寬量值的準(zhǔn)確性影響更大。納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)可滿足集成電路中納米線寬的原子級準(zhǔn)確度測量要求，應(yīng)用空間廣闊。
　　我國標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制起步晚于歐美國家，目前在納米級標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制方面，與國際先進(jìn)水平仍存在一定差距。國外納米級標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制機(jī)構(gòu)及企業(yè)有美國標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院（NIST）、美國VLSI公司、Bangs Laboratories公司、德國Dr.E公司等，其中美國VLSI公司研制的線寬結(jié)構(gòu)量值在全球集成電路中處于壟斷地位，不確定度水平優(yōu)于1.0nm。
　　截止至目前，我國已批準(zhǔn)建立國家標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)累計超1.7萬項，但其中納米級標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)不足百項，占比極低，難以滿足快速發(fā)展的納米制造需求。我國納米級標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制以科研機(jī)構(gòu)為主，包括中國計量科學(xué)研究院、國家納米科學(xué)中心、同濟(jì)大學(xué)等，其中中國計量科學(xué)研究院在國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制發(fā)展中具有示范性的作用。
　　2024年9月，國家市場監(jiān)管總局批準(zhǔn)建立由中國計量科學(xué)研究院研制的平面結(jié)構(gòu)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)和立體結(jié)構(gòu)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，這是我國首次建立基于硅晶格常數(shù)溯源的集成電路納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。該納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是以硅晶格{220}方向尺寸（0.192nm）為基礎(chǔ)，不確定度水平處在0.32nm-1.3nm之間，填補(bǔ)了國內(nèi)市場空白。
　　《亞微米及納米級顆粒粒度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的研制》（JJF2060-2023）于2019年立項，2023年6月30日發(fā)布，2023年12月30日正式實施，其為納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的高質(zhì)量研制提供了標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)。
　　隨著微納米技術(shù)、原子級制造技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，集成電路制造正向極微觀尺度邁進(jìn)，市場對納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的需求空間隨之?dāng)U大。納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制難度大，為推動集成電路制造業(yè)向更高層次邁進(jìn)，我國將繼續(xù)加強(qiáng)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的研發(fā)與應(yīng)用，未來納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)獲批數(shù)量有望持續(xù)增加。